型号:

DTC114TMT2L

RoHS:无铅 / 符合
制造商:Rohm Semiconductor描述:TRANS NPN 50V 100MA VMT3
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
DTC114TMT2L PDF
产品目录绘图 VMT-3 Package Top
标准包装 1
系列 -
晶体管类型 NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大) 100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧) 10k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧) -
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) 100 @ 1mA,5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) 300mV @ 1mA,10mA
电流 - 集电极截止(最大) -
频率 - 转换 250MHz
功率 - 最大 150mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SOT-723
供应商设备封装 VMT3
包装 标准包装
产品目录页面 1641 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 DTC114TMT2LDKR
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